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삼성전자, 차세대 3차원 메모리 'zHBM' 공개… AI 반도체 주도권 탈환 나선다

 

삼성전자, 차세대 3차원 메모리 'zHBM' 공개… AI 반도체 주도권 탈환 나선다

 

삼성전자가 공개한 차세대 3차원 메모리인 'zHBM'은 기존 HBM 구조가 가진 GPU 옆 메모리 배치 방식의 데이터 이동 거리 한계를 극복하기 위해, 메모리를 AI 가속기 위에 직접 수직 적층하여 데이터 이동 거리를 대폭 감소시켰습니다. 
이를 통해 기존 HBM5 대비 최대 8배 성능 향상, 최대 3배 전력 대비 성능 개선, 그리고 열 저항을 크게 줄이는 기대 효과를 목표로 하고 있습니다. 또한 함께 공개된 차세대 메모리 기술로는 온디바이스 AI를 겨냥한 'zNAND-O'와 400단 이상 초고층 적층 기술인 '10세대 V낸드'가 있어, AI 반도체 시장의 주도권을 잡기 위한 강력한 기술 혁신을 보여주고 있습니다.

반도체 투자자로서 삼성전자가 이렇게 혁신적인 'zHBM' 기술을 공개했다는 소식이 정말 반갑고 든든하네요! 
그동안 발목을 잡던 데이터 병목 현상과 발열 문제를 수직 적층 구조로 멋지게 해결해 내는 걸 보니, 역시 기술의 삼성이라는 생각이 절로 듭니다. 
AI 반도체 시장에서 확실한 주도권을 잡고 다시 한번 도약할 일만 남은 것 같아요. 우리 국장 주가도 이 멋진 기술력 날개를 달고 힘차게 날아올라 주기를 따뜻한 마음으로 응원해 봅니다!

 

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